参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPD096N08N3 G
说明	功率MOSFET   6.5mm DPAK(TO-252)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5287 [库存更新时间：2025-04-21]
通道数量	1Channel
Qg-栅极电荷	26nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	100W
高度	2.3mm
长度	6.5mm
宽度	6.22mm
正向跨导 - 最小值	30S
下降时间	5ns
上升时间	30ns
典型关闭延迟时间	23ns
典型接通延迟时间	13ns
Moisture Level	1 Ohms
Rds On(Max)@Id,Vgs	9.6mΩ
漏源极电压Vds	80V
连续漏极电流Id	73A
QG (typ @10V)	26.0 nC
封装/外壳	DPAK (TO-252)
Rth	1.5 K/W
Budgetary Price €€/1k	0.45
Ptot max	100.0W
FET类型	N-Channel
Coss	490.0pF
Ciss	1810.0 pF
栅极电压Vgs	2.8V,2V,3.5V
工作温度	-55°C~175°C